’06년 삼성SDI 채용안내
미래형 디스플레이와 모바일 에너지, 신소재분야를 선도하는 기업 삼성SDI에서 새로운 미래를 선도해 나갈 우수한 인재 여러분을 아래와 같이 모시고자 하오니 많은 관심 부탁 드립니다.
■ 모집분야
- MBA : 기획, 재무, 홍보, 마케팅
- AMOLED : 저온 Poly Si TFT 설계,유기EL 패널 및 소재,회로설계,박막공정
- FED : FED 제조 공법 및 재료 개발, 후막 및 박막 형성 및 공정 기술
Field Emission Emitter 제조 기술, Carbon Nano Tube,
유전,절연 박막 제조 및 공정 기술, 형광체 개발 및 공정 기술,
Display 회로 설계, 고진공 기술, Spacer 관련 기술, 고압 인가 기술
- CAE : 광학해석, 고체계산, 분자모델링, 반도체 공정/디바이스 modeling & simulation,
회로/시스템 설계 및 해석, 구조해석, 진동/소음/충격해석, 3D 모델링,플라즈마 해석
열/유동해석 및 시스템 설계, MEMS(Microfluidics, Micromechanics) 모델링
- 전자재료 : 플라즈마 물리, 박막공정, 유기EL 재료합성, PDP MgO막, Rheology,Sol gel
- 분석 : 유기분석 및 무기분석,가스분석,박막
- Fuel Cell : DMFC(직접 메탄올 연료전지)분야 MeOH-cross over억제용 membrane,
전극 촉매, DMFC stack design, Bipolar plate 유로 설계
DMFC system개발 관련 BOP, system 설계 , System control/interface
Micro BOP(초소형,초절전 pump, compressor,valve, sensor)개발
- 2차전지,HEV : 리튬 폴리머 전지,리튬 이차전지용 음극 및 양극 활물질, 전해질염, 전해질조성,
고체전해질, 유기전기화학, 전기화학, 전기분석, 전력전자(Power electronics),
박막전지(Thin film Battery), 유기화학, 전지설계,전기화학 및 신소재 개발관련 인력,
회로설계 등 전지 응용관련 개발 인력 , 전지 설계, 분석, 평가, 신소재 개발 및
신공정 개발 관련 인력, 고출력/장수명화/안전성 등 전지 특성 개선 연구자
전력전자, 회로 설계 등 전지 회로 관련 개발 인력,
화학공정 개발 및 고속 Cam 기구 설계 등 전자전기부품 제조 공정개발 관련 인력,
부품설계 및 신뢰성 설계 연구자
- PDP : 고정세 PDP 제조공법 및 재료 개발 (무기 Powder,유기 Binder,각종 solvent),
후막 및 박막형성 기술 (스크린 인쇄, Coating, 패턴인쇄),
방전 Cell 설계 (고효율 셀 구조, 저전압 고속구동, 가스조성, 특성평가 및 해석),
고전압 아날로그회로 (전력전자, 전력회수회로, Driver IC응용기술, PCB),
고화질 구동방식 및 알고리즘 설계 (영상처리, 디지탈회로설계, FPGA응용설계)
- 생산기술연구소: 구조해석(진동, 열유체 관련 CAE 해석),위치제어(시스템 동적 위치 제어)
최적설계(시스템최적화, Analysis based System design),유변학(점성유체 유동해석
및 CFD해석),자동화,Vision응용기술,전력전자, 아날로그 회로설계, 디지탈 회로설계,
PLC 프로그래밍, 광학계설계, 레이저 재료가공, 레이저 마이크로머시닝, MEMS응용,
Optical Lithography, Nano Patterning, DPSS 레이저, Femto Second Laser,High
Power IR/Green/UV 레이저, PVD(스퍼터링, 증착, 이온빔), 장치설계, 공정개발,
산화막/금속막 개발,Dry Etcher 기술, 플라즈마 물리,나노 파우더 생성 프로세스
- LCD : 전자회로, 신호 및 시스템, Digital 및 Analogue 회로설계, Digital신호처리,
Video화상제어, Micro-Processor응용기술, 광전자공학 관련
유전체물성, 광학, 박막 관련, 광학설계, 액정 관련,
TFT 부문 (a-Si / p-Si TFT 설계, TFT 구동 회로, Display Drive IC 설계,
System on Panel 설계)
- 브라운관 : photochromic, Electrochromic 관련, 전자계해석, Glass 응력해석
Nano 형광체 개발, 새로운 Nano 소재 합성, Nano 물질 분석
■ 자격요건
- 해외 석박사 학위 소지자(기졸업자) 혹은 06년 취득예정자로 06년 및 07년 입사 가능자
- 남자는 병역필 또는 면제자에 한함
- 해외 여행에 결격 사유가 없는 자
■ 지원서 접수
- 지원 방법 : E-mail 지원 (Resume 첨부要)
- 접수 기간 : 5. 14(일)까지 접수
- 지원접수처 : 방봉균 대리(bongs1.bang@samsung.com)
■ 기타
- 접수된 서류는 반환하지 않음
- 제출된 서류에 허위 사실이 있을 경우 입사를 불허함
- 장애인복지법상 등록장애인은 내부규정에 의거하여 우대함
- 서류전형 합격자에 한하여 개별 연락함
■ 기타 문의사항이 있으신 경우 위의 메일 혹은 82-2-727-3148/3144로 연락하시기 바랍니다.
미래형 디스플레이와 모바일 에너지, 신소재분야를 선도하는 기업 삼성SDI에서 새로운 미래를 선도해 나갈 우수한 인재 여러분을 아래와 같이 모시고자 하오니 많은 관심 부탁 드립니다.
■ 모집분야
- MBA : 기획, 재무, 홍보, 마케팅
- AMOLED : 저온 Poly Si TFT 설계,유기EL 패널 및 소재,회로설계,박막공정
- FED : FED 제조 공법 및 재료 개발, 후막 및 박막 형성 및 공정 기술
Field Emission Emitter 제조 기술, Carbon Nano Tube,
유전,절연 박막 제조 및 공정 기술, 형광체 개발 및 공정 기술,
Display 회로 설계, 고진공 기술, Spacer 관련 기술, 고압 인가 기술
- CAE : 광학해석, 고체계산, 분자모델링, 반도체 공정/디바이스 modeling & simulation,
회로/시스템 설계 및 해석, 구조해석, 진동/소음/충격해석, 3D 모델링,플라즈마 해석
열/유동해석 및 시스템 설계, MEMS(Microfluidics, Micromechanics) 모델링
- 전자재료 : 플라즈마 물리, 박막공정, 유기EL 재료합성, PDP MgO막, Rheology,Sol gel
- 분석 : 유기분석 및 무기분석,가스분석,박막
- Fuel Cell : DMFC(직접 메탄올 연료전지)분야 MeOH-cross over억제용 membrane,
전극 촉매, DMFC stack design, Bipolar plate 유로 설계
DMFC system개발 관련 BOP, system 설계 , System control/interface
Micro BOP(초소형,초절전 pump, compressor,valve, sensor)개발
- 2차전지,HEV : 리튬 폴리머 전지,리튬 이차전지용 음극 및 양극 활물질, 전해질염, 전해질조성,
고체전해질, 유기전기화학, 전기화학, 전기분석, 전력전자(Power electronics),
박막전지(Thin film Battery), 유기화학, 전지설계,전기화학 및 신소재 개발관련 인력,
회로설계 등 전지 응용관련 개발 인력 , 전지 설계, 분석, 평가, 신소재 개발 및
신공정 개발 관련 인력, 고출력/장수명화/안전성 등 전지 특성 개선 연구자
전력전자, 회로 설계 등 전지 회로 관련 개발 인력,
화학공정 개발 및 고속 Cam 기구 설계 등 전자전기부품 제조 공정개발 관련 인력,
부품설계 및 신뢰성 설계 연구자
- PDP : 고정세 PDP 제조공법 및 재료 개발 (무기 Powder,유기 Binder,각종 solvent),
후막 및 박막형성 기술 (스크린 인쇄, Coating, 패턴인쇄),
방전 Cell 설계 (고효율 셀 구조, 저전압 고속구동, 가스조성, 특성평가 및 해석),
고전압 아날로그회로 (전력전자, 전력회수회로, Driver IC응용기술, PCB),
고화질 구동방식 및 알고리즘 설계 (영상처리, 디지탈회로설계, FPGA응용설계)
- 생산기술연구소: 구조해석(진동, 열유체 관련 CAE 해석),위치제어(시스템 동적 위치 제어)
최적설계(시스템최적화, Analysis based System design),유변학(점성유체 유동해석
및 CFD해석),자동화,Vision응용기술,전력전자, 아날로그 회로설계, 디지탈 회로설계,
PLC 프로그래밍, 광학계설계, 레이저 재료가공, 레이저 마이크로머시닝, MEMS응용,
Optical Lithography, Nano Patterning, DPSS 레이저, Femto Second Laser,High
Power IR/Green/UV 레이저, PVD(스퍼터링, 증착, 이온빔), 장치설계, 공정개발,
산화막/금속막 개발,Dry Etcher 기술, 플라즈마 물리,나노 파우더 생성 프로세스
- LCD : 전자회로, 신호 및 시스템, Digital 및 Analogue 회로설계, Digital신호처리,
Video화상제어, Micro-Processor응용기술, 광전자공학 관련
유전체물성, 광학, 박막 관련, 광학설계, 액정 관련,
TFT 부문 (a-Si / p-Si TFT 설계, TFT 구동 회로, Display Drive IC 설계,
System on Panel 설계)
- 브라운관 : photochromic, Electrochromic 관련, 전자계해석, Glass 응력해석
Nano 형광체 개발, 새로운 Nano 소재 합성, Nano 물질 분석
■ 자격요건
- 해외 석박사 학위 소지자(기졸업자) 혹은 06년 취득예정자로 06년 및 07년 입사 가능자
- 남자는 병역필 또는 면제자에 한함
- 해외 여행에 결격 사유가 없는 자
■ 지원서 접수
- 지원 방법 : E-mail 지원 (Resume 첨부要)
- 접수 기간 : 5. 14(일)까지 접수
- 지원접수처 : 방봉균 대리(bongs1.bang@samsung.com)
■ 기타
- 접수된 서류는 반환하지 않음
- 제출된 서류에 허위 사실이 있을 경우 입사를 불허함
- 장애인복지법상 등록장애인은 내부규정에 의거하여 우대함
- 서류전형 합격자에 한하여 개별 연락함
■ 기타 문의사항이 있으신 경우 위의 메일 혹은 82-2-727-3148/3144로 연락하시기 바랍니다.
