***모집분야***

-Amoled: 저온 Poly Si TFT 설계, 유기EL 패널 및 소재, 회로설계, 박막공정

-FED: Carbon Nano Tube, 유전박막공정, 고진공기술, 형광체

-CAE: 구조해석,최적설계, 진동/소음/충격해석,복합 열/유동해석 및 시스템설계, MEMS Modelling, 반도체 Process/Device Modelling & Simulation, 회로해석

-전자재료: 저유전율 재료, 박막공정, 유기재료, 고성능 플리머재료 및 분석, 광져료 및 공정

-선행기술개발: 3D모델링, 유기분석 및 무기분석, 가스분석, 박막, 태양전지, Bio  Chip, 차세대 Display

-전지: 고체/고분자 전해질, 연료전지PEMFC, 리튬설퍼 전지, 리튬 폴리머전지, 리튬 이차전지용 음극 및 양극 활물질, 박박전지(Thin film Battery), 유기합성, 유기화학

-PDP: 플라즈마물리(공학),회로기술(로직,영상,구동,전원),패널기술(재료,후막,박막,Mgo,봉착/배기,방전),모듈설계(소음,열,구조,강도),화상신호처리

-AEC : Optics Design, Optical Lithography, Photonic Crystal, Nano Optics DPSS 고출력 레이져, 비선형 광학, 간섭계 개발, 개발 또는 관련 공정을 이용한 박막 설계, 산화막/금속화 개발, 드라이에쳐 개발, 플라즈마를 이용한 표면 화학반응 연구, 플라즈마 물리, Digital/Analog 회로설계

-LCD : 전자회로, 신호 및 시스템, Digital 및 Analogue 회로설계, Digital 신호처리, Video화상제어, Micro-Processor응용기술, 광전자공학관련, 유전체물성, 광학, 박막관련, 광학설계, 액정관련

-VFD : Hardware Discription Language설계 (Verilog VHDL),DSP설계(고속회로설계) Analog설계 (OP-Amp, ADC등), Circuit/Layouut Design (ASIC)

***응시자격***
-관련분야 박사학위 소지자(취득예정자)
-2003년~2004년 입사예정자

***제출서류***
이력서/자기소개서(지원부문,연락처 기재요망), 세부 전공소개서

***제출기한***
2003년 7월 1일~ 7월 30일

***제출방법***
Jina.yoon@samsung.com 으로 이메일 접수

***기타***
기타문의 사항은 삼성 SDI 인력개발팀(윤수진 82-2-72 7-3144) 혹은 독일 베를린 유럽연구소 (Ms. Schmidt 49-30-5305-4250)로 연락 바람