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http://www.all-electronics.de/news/5/0f8a520f03e.htmlSamsung Electronics Co. Ltd. hat mit der Serienfertigung der weltweit ersten 4 GBit NAND-Flash Komponenten begonnen.
Die hochintegrierten Flash-Speicher werden mit einer State-of-the-Art Prozesstechnologie mit Strukturen von 70 nm hergestellt und geben Entwicklern in Bereichen wie Unterhaltungselektronik und mobile Anwendungen eine Lösung mit höherer Speicherkapazität an die Hand, die zu erschwinglicheren Preisen angeboten wird.
Entwickelt wurde Samsungs 4-GBit-NAND-Flash-Speicher bereits im September 2003. Gemäß dem von Dr. Chang Gyu Hwang, President und CEO von Samsung Electronics Semiconductor, eingeführten „New Memory Growth Model“, das von einer Verdopplung der Speicherdichte alle 12 Monate ausgeht, hat Samsung inzwischen fünf NAND-Flash-Speichergenerationen mit folgenden Speicherkapazitäten entwickelt: 256 MBit (1999), 512 MBit (2000), 1 GBit (2001), 2 GBit (2002), 4 GBit (2003) und 8 GBit (2004).
Durch den Einsatz der 70-nm-Design-Technologie zur Herstellung von 4-GBit-NAND-Flash-Speichern kann Samsung die industrieweit kleinsten Speicherzellen mit einer Fläche von lediglich 0,025 µm2 produzieren. Um die feineren Schaltkreise des 70-nm-Prozesses ätzen zu können, kommt eine moderne Argon Fluorid Photolithografie Lichtquelle zum Einsatz.
Samsungs 4-GBit-NAND-Flash-Speicher in 70-nm-Technologie bietet eine Schreibgeschwindigkeit von 16 MByte/s und ist somit 50 Prozent schneller als der mit dem 90-nm-Prozess herstellten 2-GBit-Baustein. Aufgrund dieser hohen Schreibgeschwindigkeit lassen sich Video-Bilder in HD-Qualität (High Definition) in Echtzeit speichern.
Das Marktforschungsunternehmen Gartner Dataquest geht davon aus, dass NAND-Flash-Speicher mit 4 GBit im laufenden Jahr über 30 Prozent zum acht Milliarden US-Dollar großen Gesamtumsatz mit Flash-Speichern beitragen.
02.06.2005 - elektronik industrie
Die hochintegrierten Flash-Speicher werden mit einer State-of-the-Art Prozesstechnologie mit Strukturen von 70 nm hergestellt und geben Entwicklern in Bereichen wie Unterhaltungselektronik und mobile Anwendungen eine Lösung mit höherer Speicherkapazität an die Hand, die zu erschwinglicheren Preisen angeboten wird.
Entwickelt wurde Samsungs 4-GBit-NAND-Flash-Speicher bereits im September 2003. Gemäß dem von Dr. Chang Gyu Hwang, President und CEO von Samsung Electronics Semiconductor, eingeführten „New Memory Growth Model“, das von einer Verdopplung der Speicherdichte alle 12 Monate ausgeht, hat Samsung inzwischen fünf NAND-Flash-Speichergenerationen mit folgenden Speicherkapazitäten entwickelt: 256 MBit (1999), 512 MBit (2000), 1 GBit (2001), 2 GBit (2002), 4 GBit (2003) und 8 GBit (2004).
Durch den Einsatz der 70-nm-Design-Technologie zur Herstellung von 4-GBit-NAND-Flash-Speichern kann Samsung die industrieweit kleinsten Speicherzellen mit einer Fläche von lediglich 0,025 µm2 produzieren. Um die feineren Schaltkreise des 70-nm-Prozesses ätzen zu können, kommt eine moderne Argon Fluorid Photolithografie Lichtquelle zum Einsatz.
Samsungs 4-GBit-NAND-Flash-Speicher in 70-nm-Technologie bietet eine Schreibgeschwindigkeit von 16 MByte/s und ist somit 50 Prozent schneller als der mit dem 90-nm-Prozess herstellten 2-GBit-Baustein. Aufgrund dieser hohen Schreibgeschwindigkeit lassen sich Video-Bilder in HD-Qualität (High Definition) in Echtzeit speichern.
Das Marktforschungsunternehmen Gartner Dataquest geht davon aus, dass NAND-Flash-Speicher mit 4 GBit im laufenden Jahr über 30 Prozent zum acht Milliarden US-Dollar großen Gesamtumsatz mit Flash-Speichern beitragen.
02.06.2005 - elektronik industrie
